China encuentra un atajo hacia los 3 nm: transistores GAA sin necesidad de litografía UVE

China necesita adquirir la capacidad de fabricar chips de vanguardia. Las sanciones de EEUU y Países Bajos impiden a sus fabricantes de semiconductores acceder a los equipos de litografía de ultravioleta extremo (UVE) de ASML, lo que ha provocado que las compañías chinas que se dedican al diseño de máquinas de fotolitografía, como SMEE (Shanghai Micro Electronics Equipment) o Shanghai Yuliangsheng Technology, estén dedicando muchos recursos al desarrollo de sus propios equipos de ultravioleta profundo (UVP).

No obstante, hay otro camino hacia los circuitos integrados más avanzados. Y el Instituto de Microelectrónica de la Academia China de Ciencias (IMECAS) parece haberlo encontrado. DigiTimes ha desvelado que este centro de investigación ha conseguido integrar experimentalmente transistores de tipo GAA (Gate-All-Around) de nanosheets apiladas utilizando litografía UVP. Estos son los transistores de última generación que los fabricantes de chips que lideran la industria están utilizando en sus circuitos integrados más avanzados.

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